适用于改良的寿命结束读取幅度的双单元存储器件操作的方法

摘要

一种编程双单元存储器件(6)的方法，该双单元存储器件具有第一及第二电荷存储单元(38、40)。根据本发明的一个方面，该方法可包括：过度擦除该第一及第二电荷存储单元以改变存储器件的擦除状态阈值电压，使其低于自然状态的阈值电压。根据本发明的另一个方面，本方法可包括：将该第一及第二电荷存储单元编程至相同的数据状态，验证该第二编程的电荷存储单元存储与该数据状态相应的电荷。若验证失败，该电荷存储单元两者可被重新脉冲。

主权项

1. 一种用于编程具有第一电荷存储单元(38，40)及第二电荷存储单元(38，40)的电荷捕获介质存储器件(6)的方法，包含：过度擦除该第一及第二电荷存储单元以改变该存储器件的擦除状态阈值电压，使其低于初始阈值电压；编程该第一电荷存储单元以存储与第一编程状态相应的第一数量的电荷，该第一编程状态选自于空白编程级别及第一带电编程级别；以及编程该第二电荷存储单元以存储与第二编程状态相应的第二数量的电荷，该第二编程状态选自于该空白编程级别及第二带电编程级别。