用于系统单晶片应用之整合奈米管及互补金氧半导体装置与其形成方法

摘要

本发明提供一种整合、多层奈米管与互补金氧半导体(CMOS)装置及其形成方法。该装置包含形成在该装置之至少一层上的至少一CMOS装置、一电连接至该至少一CMOS装置之第一金属配线层，及形成于该第一金属配线层上之至少一奈米管装置，该奈米管装置与该至少一CMOS装置寄生隔离。在一或多项实施例中，该至少一CMOS装置及该至少一奈米管装置位于一相同半导体晶圆晶片之不同层上，以允许该晶圆系待用于具有基于该至少一奈米管装置之射频/类比电路及基于该至少一CMOS装置之数位电路之系统单晶片(SoC)的应用。