以化学相沉积法制造含金属薄膜之方法

摘要

本发明系在提供一种以化学相沉积法制造含金属薄膜之方法，特别是原子层沉积法(ALD)与化学气相沉积法(CVD)，该方法包含将至少一种有机金属前驱物送至基层上，该前驱物具有下列化学式之结构：Cp(R)#sB!n#eB!M(CO)#sB!2#eB!(X)M是钌、铁或锇；R为碳原子1～10个的烷基；X为碳原子1～10个的烷基；n为0,1,2,3,4或5。