| 发明名称 | 介电膜之硬化方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硬化基板上之低介电常数（low-k）介电膜的方法，其中该低介电常数介电膜的介电常数小于约4的值。该方法包含将该低介电常数介电膜暴露于紫外线(UV)辐射。在该UV暴露步骤之后，将该低介电常数介电膜暴露于红外线(IR)辐射。 | ||
| 申请公布号 | TW200913064 | 申请公布日期 | 2009.03.16 |
| 申请号 | TW097135007 | 申请日期 | 2008.09.12 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 刘俊军;托马 多罗Ｉ;李 艾瑞克Ｍ |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||