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发明名称
导电性高分子之被膜制造方法
摘要
本发明所提供的导电性高分子之被膜制造方法,系适用于例如PEDOT/PSS膜的导电度之提升,能依简单操作、低价且迅速制造,可大幅提升PEDOT/PSS膜的传导度,且能获得被膜之安定物性。本发明的导电性高分子之被膜制造方法系将导电性高分子与掺质的溶液10施行乾燥而制膜。将来自上述溶液10的乾燥膜9经由反应容器10,利用既定有机溶剂11与加压二氧化碳施行处理。
申请公布号
TW200911896
申请公布日期
2009.03.16
申请号
TW097122371
申请日期
2008.06.16
申请人
吉田英夫;国立大学法人 秋田大学
发明人
寺境光俊;安田创;吉田英夫
分类号
C08J5/18(2006.01);C08G61/12(2006.01);C08F12/30(2006.01)
主分类号
C08J5/18(2006.01)
代理机构
代理人
赖经臣;宿希成
主权项
地址
日本
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