| 发明名称 | 含锑材料作为电阻转换存储材料的应用 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，所述含锑材料包括锑及其他金属的混合物、或/和锑的氧化物、或/和锑的氮化物、或/和锑的氮氧化物。当温度达到或者超过某一特定温度时，该电阻转换存储材料的电阻率有剧烈的下降过程，通常高、低电阻率差异超过一个数量级。本发明电阻转换存储材料与目前的半导体生产线完全兼容，不会给生产线引入污染以及不确定的因素，有助于降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101383398A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200810201407.5 | 申请日期 | 2008.10.20 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，其特征在于，所述含锑材料包括锑及其他金属的混合物、或/和锑的氧化物、或/和锑的氮化物、或/和锑的氮氧化物。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||