发明名称 |
Hf:Er:LiNbO<sub>3</sub>晶体及其制备方法 |
摘要 |
Hf:Er:LiNbO<sub>3</sub>晶体及其制备方法,它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了在保持铌酸锂晶体本身优良性能的前提下掺杂镁或锌元素虽然提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力,但压制了晶体本身具有优良的光学性能。本发明Hf:Er:LiNbO<sub>3</sub>晶体由纯度都为99.99%的HfO<sub>2</sub>、Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和LiCO<sub>3</sub>制成;其中HfO<sub>2</sub>的掺杂量为HfO<sub>2</sub>、Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和LiCO<sub>3</sub>总物质的量的2~6mol%,Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的掺杂量为HfO<sub>2</sub>、Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和LiCO<sub>3</sub>总物质的量的0.5~2mol%,Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法:一、称取并混合HfO<sub>2</sub>、Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>和LiCO<sub>3</sub>;二、提拉法进行晶体生长;三、极化;四、晶体切割后表面光学质量级抛光,即得到Hf:Er:LiNbO<sub>3</sub>晶体。本发明Hf:Er:LiNbO<sub>3</sub>晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生。本发明Hf:Er:LiNbO<sub>3</sub>晶体的制备方法简单,便于操作,晶体生长速度快。 |
申请公布号 |
CN100467678C |
申请公布日期 |
2009.03.11 |
申请号 |
CN200710071699.0 |
申请日期 |
2007.01.26 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
孙亮;徐玉恒;国凤云;吕强;于海涛;李洪涛;蔡伟;赵连城 |
分类号 |
C30B29/30(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B33/04(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/30(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
韩末洙 |
主权项 |
1、一种Hf:Er:LiNbO3晶体,其特征在于它由纯度都为99.99%的HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3制成;其中HfO2的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的2~6mol%,Er2O3的掺杂量为HfO2、Er2O3、Nb2O5和LiCO3总物质的量的0.5~2mol%,Li与Nb的摩尔比为0.946。 |
地址 |
150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |