具有至少3层高-K介电层的模拟电容器和制造它的方法

摘要

提供一种具有至少3层高-k介电层的模拟电容器和制造它的方法。该模拟电容器包含下电极、上电极、置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层。该至少3层高-k介电层包含接触下电极的底介电层、接触上电极的顶介电层和置于底介电层与顶介电层之间的中介电层。而且，各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，VCC的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层，中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高-k介电层。因此，由于使用至少3层高-k介电层，可以使模拟电容器的VCC特性和漏电流特性最佳。

主权项

1. 一种模拟电容器，包含:a)下电极；b)面对下电极的上电极；和c)置于下电极与上电极之间的至少3层高-k介电层，该至少3层高-k介电层包含:i)接触下电极的底介电层；ii)接触上电极的顶介电层；和iii)置于底介电层与顶介电层之间的中介电层，其中各底介电层和顶介电层是，与中介电层相比，电容电压系数(VCC)的二次系数的绝对值相对低的高-k介电层，并且中介电层是，与底介电层和顶介电层相比，漏电流相对低的高-k介电层，其中漏电流相对低的中介电层是选自HfO2、ZrO2和La2O3层的材料层。