| 发明名称 | 具有极细间距堆叠的微电子组件 | ||
| 摘要 | 一种制造堆叠微电子组件的方法包括：提供第一微电子封装(122A)，所述第一微电子封装具有第一衬底(124A)以及从所述第一衬底(124A)的表面(128A)延伸的导电柱(130A)，以及提供第二微电子封装(122B)，其具有第二衬底(124B)和从第二衬底(124B)的表面(126B)延伸的导电可熔块(148B)。在第一和第二衬底(124A，124B)的表面之一上固定微电子元件(154A)，所述微电子元件(154A)界定从所述第一和第二衬底的固定所述微电子元件的表面之一延伸的垂直高度H<sub>1</sub>。第一衬底的导电柱(130A)的末端(131A)抵靠到第二衬底的可熔块(148B)的顶点，由此每个导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于固定到所述第一和第二衬底的表面之一的所述微电子元件(154A)的垂直高度。 | ||
| 申请公布号 | CN101385140A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200680053236.5 | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 泰塞拉公司 | 发明人 | B·哈巴;C·S·米切尔 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L25/10(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈松涛;王 英 |
| 主权项 | 1、一种制造堆叠微电子组件的方法，包括：提供第一微电子封装，所述第一微电子封装包括第一衬底以及从所述第一衬底的表面延伸的导电柱，每个所述导电柱具有从所述第一衬底的所述表面延伸到所述导电柱的末端的垂直高度；提供第二微电子封装，所述第二微电子封装包括第二衬底以及从所述第二衬底的表面延伸的导电可熔块，每个所述可熔块具有从所述第二衬底的所述表面延伸到所述可熔块的顶点的垂直高度；在所述第一和第二衬底的所述表面之一上固定微电子元件，所述微电子元件界定从所述第一和第二衬底的固定了所述微电子元件的所述表面之一延伸的垂直高度；使所述第一衬底的所述导电柱的末端抵靠到所述第二衬底的所述可熔块的顶点，其中每个所述导电柱/可熔块组合的垂直高度等于或大于固定到所述第一和第二衬底的所述表面之一的所述微电子元件的垂直高度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||