具有用于改进载子局限的复数背阻障层之半导体结构

摘要

一种半导体结构具有：一通道层，具有位于其中的一导电通道；一对极化产生层；一间隔层，设置于该对极化产生层之间。该对极化产生层沿一共同预定方向产生极化场。该对极化产生层个别可以是InGaN；InAlGaN；或是四元素构成之In#sB!x#eB!Al#sB!y#eB!Ga#sB!1-x-y#eB!N，且x大于或等于y/2。极化产生层沿一共同预定方向产生极化场，有效增加通道层所经历的总极化场，以增加导电通道的载子局限。