| 摘要 |
本发明系关于一种使用高密度电浆化学气相沈积来沈积一薄膜之方法。根据本发明之沈积一薄膜之一方法包含：将上面形成有一间隙之一半导体基板载入至一腔室中；在该腔室中供应一制程气体，且使用高频率源功率及低频率源功率对该制程气体进行电浆化；使用该经电浆化之制程气体填充该间隙；以及将该间隙被填充之该半导体基板卸载至该腔室之一外部。单独施加该高频率源功率及该低频率源功率。因此，可由该高频率源功率产生低压力下之电浆，且可由该低频率源功率产生高密度电浆。因此，可藉由一HDPCVD制程有效地填充一半导体基板之具有一高纵横比之一间隙。 |
