| 发明名称 | 一种优化扫描曝光的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种优化扫描曝光的方法，该曝光扫描方法是在不改变曝光装置扫描方向控制模块的条件下，优化扫描曝光的速度。当曝光扫描式曝光装置分辨率所能达到的极限特征尺寸或小于其极限特征尺寸的图案时，调整速度控制模块参数来微调降低曝光扫描速度，在不低于曝光装置饱和扫描速度下，可有效扩大光刻工艺窗口，使该曝光装置突破扫描曝光装置所曝特征尺寸的极限标准，曝更小特征尺寸的图案。采用本发明的方法，可使扫描式曝光装置应用于标准极限特征尺寸或小于标准极限特征尺寸的曝光工艺中，从而延长其使用寿命，节约经济成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101373335A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200710045038.0 | 申请日期 | 2007.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李碧峰;方向平;沈华峰;朱禕明 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种优化扫描曝光的方法，其特征在于：进行扫描曝光时，在不改变曝光装置扫描方向控制模块的条件下，通过调整速度控制参数，微调晶圆和光罩之间的相对移动速度，使曝光装置扫描速度低于其标准扫描速度。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||