| 发明名称 | 形成一半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成一半导体结构的方法。该半导体装置包含有一基底、至少一孔穴墙、一粘着层以及一封装层。该基底具有至少一晶粒。该孔穴墙与该基底相接触，且设置于该晶粒的四周。该粘着层设于该孔穴墙上。该封装层设于该基底上，且该封装层与该粘着层相接触。本发明所述的形成一半导体结构的方法，可以提高良率并降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN100463203C | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200610057897.7 | 申请日期 | 2006.03.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 游秀美;黄志恭;游建桐;陈永昌 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种形成一半导体结构的方法，其特征在于，该形成一半导体结构的方法包含有：提供一基底，具有至少一晶粒；形成多个孔穴墙于该基底上，该孔穴墙是设置于该晶粒的四周，且以一环氧化树脂构成，其中围绕一晶粒的孔穴墙与围绕另一晶粒的孔穴墙相分隔；以及将一封装层粘贴封住该孔穴墙上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||