| 发明名称 | 一种p型ZnO薄膜制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用NaOH或LiOH作为掺杂剂的p型ZnO薄膜制造方法，在外延生长ZnO的同时通过热蒸发掺入NaOH(LiOH)，在ZnO薄膜中实现了Na－H或Li－H共掺，Na或Li原子在ZnO晶格中处于替锌位Na<SUB>Zn</SUB>或Li<SUB>Zn</SUB>，不仅提高了Na或Li的固溶率，同时抑制了间隙位的Na<SUB>i</SUB>或Li<SUB>i</SUB>的形成，降低了自补偿效应。再通过在活性氧气氛下的高温退火工艺有效地去除薄膜中的H元素，实现了Na或Li的高效掺杂，获得高质量、稳定的p型ZnO薄膜，可望用来制造高性能的ZnO基光电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101368288A | 申请公布日期 | 2009.02.18 |
| 申请号 | CN200810223688.4 | 申请日期 | 2008.10.07 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 刘尧平;张天冲;梅增霞;郭阳;杜小龙 |
| 分类号 | C30B23/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);C30B31/02(2006.01);H01L21/363(2006.01);H01L21/40(2006.01) | 主分类号 | C30B23/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1.一种采用NaOH或LiOH作为掺杂剂制造p型ZnO薄膜的制造方法，具体为：在外延生长ZnO薄膜的同时通过热蒸发掺入NaOH或LiOH，再通过在活性氧气氛下的高温退火工艺，去除薄膜中的H元素。 | ||
| 地址 | 100190北京市海淀区中关村南三街8号 | ||