非挥发性记体的制作方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制作方法，此方法是先于基底上依序形成第一介电层、第一导体层与第一顶盖层。然后，将第一顶盖层与第一导体层图案化，以形成多个第一闸极结构。接着，于第一闸极结构的侧壁上形成第二介电层以及移除部分第一介电层，暴露出第一闸极结构之间的基底。而后，于第一闸极结构之间的基底上形成磊晶层。继之，于磊晶层上形成第三介电层。随后，于第三介电层上形成第二导体层。接着，移除第一顶盖层与部分第一导体层，以形成多个第二闸极结构。之后，于每一第二闸极结构二侧的基底中形成掺杂区。