| 摘要 |
本发明揭示一种形成于一半导体层(107)中的半导体装置(101)。一第一闸极介电层(109)系形成于该半导体层(107)之上。一第一导电层(111)系形成于该第一闸极介电层(109)之上。一第一分层(113)系形成于该第一导电层之上。一沟渠(205)系形成于该半导体层(107)中以分离第一台面(201)与第二台面(203)。该沟渠(205)系使用一隔离材料(401)来填充至一高于该第一导电层(111)之一顶部表面的高度。该第一导电层(111)系从该第二台面(203)移除。一第二导电层(703)系形成于该第一台面(201)之第一分层(113)之上与该第二台面(203)之上。一平坦化蚀刻自该第一台面(201)之上移除该第二导电层(703)。一第一类型之一第一电晶体(1201)系形成于该第一台面(201)中，并且一第二类型之一第二电晶体(1203)系形成于该第二台面(203)中。 |
