发明名称 | 形成图样之方法 | ||
摘要 | 一种形成图样之方法,包括:提供一基板;形成复数个种构件于该基板上;形成至少一双膜层结构,该双膜层结构包括形成于该些种构件上之一第一膜层以及形成于该第一膜层上之一第二膜层;移除位于该些种构件上之该第一膜层与该第二膜层;以及连续地且非等向地蚀刻该第一膜层与该第二膜层至少一次以形成邻近于该些种构件之一开口。 | ||
申请公布号 | TW200908080 | 申请公布日期 | 2009.02.16 |
申请号 | TW096135111 | 申请日期 | 2007.09.20 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈达 |
分类号 | H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |