氮化镓结晶成长方法、氮化镓结晶基板、磊晶晶圆之制造方法及磊晶晶圆

摘要

本发明提供一种可抑制进行用以实现薄膜化之加工时产生之裂痕，且可成长厚度较大之氮化镓结晶的氮化镓结晶成长方法、氮化镓结晶基板、磊晶晶圆、及磊晶晶圆之制造方法。本发明之氮化镓结晶成长方法系使用载体气体、氮化镓原料、含有作为掺杂剂的矽之气体，藉由氢化物气相成长(HVPE)法于基础基板上使氮化镓结晶成长者。其特征在于氮化镓结晶成长时，载体气体之露点为-60℃以下。