金属氧化物半导体晶体管及其制造方法

摘要

一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，是先于一衬底上形成栅极结构，再于栅极结构侧壁形成偏移间隙壁。然后，进行第一离子注入工艺，以于栅极结构侧边的衬底内形成LDD，再于偏移间隙壁的侧壁形成另一间隙壁。接着，进行第二离子注入工艺，以于前述间隙壁侧边的衬底内形成源极与漏极，再于源极与漏极表面形成一硅化金属层。之后，于硅化金属层表面形成一氧化层，再将间隙壁去除。随后，于衬底上形成一层蚀刻中止层。由于硅化金属层表面有氧化层保护，所以不会受到去除间隙壁时所采用的溶剂损害。

主权项

1.一种金属氧化物半导体晶体管，包括：一衬底；一栅极结构，位于该衬底上；一偏移间隙壁，位于该栅极结构的侧壁；一LDD，位于该栅极结构侧边的该衬底内；一源极与一漏极，位于该栅极结构侧边的该LDD以外的该衬底内；一硅化金属层，位于该源极与该漏极表面；一氧化层，位于该硅化金属层表面；以及一蚀刻中止层，位于该衬底上覆盖该氧化层、该偏移间隙壁与该栅极结构。