用于非硅基器件的晶片级密封

摘要

所揭示的一个实施例涉及用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法(100)。该方法包括至少在非硅基器件的有效区域上提供(104)牺牲材料；在晶片上沉积(108)密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换(112、114)牺牲材料。所揭示的另一个实施例涉及以晶片级密封的SAW器件(即，在管芯与晶片分离之前)。该器件包括要保护的有效区域；电接触区域(4)；以及平版印刷形成的结构(24)，它密封至少有效区域并留下至少一部分电接触区域(4)被暴露。

主权项

1.一种用于密封晶片上的非硅基器件的有效区域的方法，其特征在于，该方法包括：至少在非硅基器件的有效区域上提供牺牲材料；在晶片上沉积密封涂层，以使密封涂层覆盖牺牲材料；以及用目标气氛替换牺牲材料，其中，所述的替换牺牲材料的步骤包括：用平版印刷方法将密封涂层形成图案以形成经过密封涂层的通道并为非硅基器件暴露电接触垫；借助通道蚀刻牺牲材料以形成由密封涂层包围的容器；将晶片置于目标气氛中；以及填充通道以密封容器中的目标气氛。