| 发明名称 | 膜层形成方法 | ||
| 摘要 | 一种膜层形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有温度基值；确定以第一温度和第二温度为边界值的反应温度区间，所述第二温度低于第一温度；执行升温操作，以使所述半导体基底达到第一温度；执行升温后的稳定化操作；执行由所述第一温度至所述第二温度的降温过程；在降温过程中，在所述半导体基底上淀积膜层。可增强形成的膜层的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101364531A | 申请公布日期 | 2009.02.11 |
| 申请号 | CN200710044808.X | 申请日期 | 2007.08.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵星;李修远 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种膜层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有温度基值；确定以第一温度和第二温度为边界值的反应温度区间，所述第二温度低于第一温度；执行升温操作，以使所述半导体基底达到第一温度；执行升温后的稳定化操作；执行由所述第一温度至所述第二温度的降温操作；在降温过程中，在所述半导体基底上形成膜层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||