发明名称 用于SRAM接口转SDRAM接口的电路及转换方法
摘要 本发明公开了一种用于SRAM接口转SDRAM接口的电路和转换方法,该转换电路包括CPU、CPLD和SDRAM芯片,CPU包括一个SRAM接口,该SRAM接口的WE、RE、CS、ADDR端分别与CPLD的相应信号端相连,CPU的数据信号端DATA与SDRAM芯片的数据信号端DATA相连。CPLD的列地址锁存信号RAS、行地址锁存信号CAS、第二写控制端WE2、块地址信号端BANK、第二地址信号端ADDR2、时钟使能信号CKE分别与所述SDRAM芯片的相应信号端相连。本发明应用在手持终端当中,SRAM接口转成SDRAM接口,CPU可以通过SRAM总线接口对SDRAM进行读、写等操作。
申请公布号 CN101364428A 申请公布日期 2009.02.11
申请号 CN200810200129.1 申请日期 2008.09.19
申请人 嘉兴闻泰通讯科技有限公司 发明人 石武
分类号 G11C7/10(2006.01);G11C11/34(2006.01);G06F13/00(2006.01) 主分类号 G11C7/10(2006.01)
代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 王敏杰
主权项 1、一种用于SRAM接口转SDRAM接口的电路,其特征在于包括CPU、复杂可编程逻辑器件和SDRAM芯片,所述的CPU包括一个SRAM接口,该SRAM接口的写控制端WE、读控制端RE、片选信号端CS、地址信号端ADDR分别与所述复杂可编程逻辑器件的第一写控制端WE1、读控制端RE、片选信号端CS、第一地址信号端ADDR1相连,所述的CPU的数据信号端DATA与所述SDRAM芯片的数据信号端DATA相连,所述复杂可编程逻辑器件的列地址锁存信号RAS、行地址锁存信号CAS、第二写控制端WE2、块地址信号端BANK、第二地址信号端ADDR2、时钟使能信号CKE分别与所述SDRAM芯片的列地址锁存信号RAS、行地址锁存信号CAS、写控制端WE、块地址信号端BANK、地址信号端ADDR、时钟使能信号CKE相连。
地址 314006浙江省嘉兴市中环南路北侧经二路西