Verfahren und Layout eines Halbleiterbauelements mit reduzierten Störeffekten

摘要

Es wird ein Halbleiterbauelement offenbart. Das Bauelement enthält einen Halbleiterkörper, eine über dem Halbleiterkörper angeordnete Schicht aus Isoliermaterial und ein über der Schicht aus Isoliermaterial angeordnetes Gebiet aus Gateelektrodenmaterial. Enthalten sind auch ein Sourcegebiet bei dem Gategebiet und ein Draingebiet bei dem Gategebiet. Eine Gateverbindung ist über dem Halbleiterkörper angeordnet, wobei die Gateverbindung ein Gebiet aus Elektrodenmaterial enthält, das elektrisch ein Kontaktgebiet an die Gateelektrode koppelt. Ein Isoliergebiet ist auf dem Halbleiterkörper unter der Gateverbindung angeordnet.