| 发明名称 | 形成具有特定尺寸的栅极侧壁间隔件之半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 在多晶硅栅电极形成具有特定尺寸的间隔件的方法系于选择性外延生长期间保护多晶硅栅电极侧壁。不论间隔件是对称或非对称，本方法均能在严格的对准规格下，用界定多晶硅栅电极图案及图案间隔件的相同特定曝光工具(例如193nm波长之步进扫描式曝光工具)及相同的图案标线片，精确地界定间隔件。 | ||
| 申请公布号 | CN100459052C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200580039217.2 | 申请日期 | 2005.11.29 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | M·C·克林;D·邦瑟;S·达克希那－穆尔蒂;A·野村 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);G03F9/00(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体装置的方法，包括下列步骤：形成具有侧壁(24)的栅电极(20)，采用曝光工具(30-42)以界定该栅电极(20)；在该栅电极(20)的侧壁(24)上形成侧壁间隔件(22)，采用相同的曝光工具(30-42)以界定该侧壁间隔件(22)，其中该侧壁间隔件(22)的形成包括在该栅电极(20)上方沉积间隔件层(16)，并在由该曝光工具(30-42)所界定的该间隔件层(16)上形成光刻胶掩模(18)，使得该光刻胶掩模(18)延伸超出该栅电极(20)的侧壁(24)；以及依照该光刻胶掩模(18)各向异性蚀刻该间隔件层(16)以形成该侧壁间隔件(22)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||