发明名称 |
薄膜半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
提供一种能够不以复杂工序在多晶硅膜上形成适合电路特性的n沟道型TFT和p沟道型TFT的薄膜半导体装置及其制造方法。本发明包含在形成于玻璃基板1上的多晶硅膜3上形成n沟道型TFT和p沟道型TFT时,在n沟道型TFT的一部分沟道区中和p沟道型TFT的一部分沟道区中同时引入P型或N型掺杂剂的工序,可以通过1次沟道掺杂形成低VT和高VT的p沟道型TFT组,以及低VT和高VT的n沟道型TFT组,借助于用此方法形成能够减小逻辑、开关电路的关态电流的高VT-TFT,以及能够扩大模拟电路的动态范围的低VT-TFT,求得了薄膜半导体装置性能的提高。 |
申请公布号 |
CN101359899A |
申请公布日期 |
2009.02.04 |
申请号 |
CN200810130874.3 |
申请日期 |
2003.09.10 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
土弘;世良贤二 |
分类号 |
H03F3/45(2006.01);H01L21/77(2006.01);G11C7/06(2006.01);H01L27/12(2006.01);H03K5/24(2006.01);H03K19/00(2006.01) |
主分类号 |
H03F3/45(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙志湧;李亚 |
主权项 |
1.一种差动放大电路,其特征在于:具备差动级和输出放大级,该差动级具有:差动对,以差动方式接受施加至输入对的信号电压;负载元件对,被连接在上述差动对的输出对与第1电源之间、由导电类型与构成上述差动对的晶体管对相反的晶体管对构成;以及电流源,连接在上述差动对与第2电源之间、对上述差动对供给恒定电流,该输出放大级接受上述差动对的输出,从输出端子输出输出信号,上述差动对和/或上述负载元件对由阈值相对低的晶体管对构成,具备起控制上述差动级的激活/非激活的第1开关作用、具有比上述低阈值晶体管的阈值为高的阈值、在上述差动对和上述第2电源之间与上述电流源串联连接、由输入至控制端子的控制信号进行导通/截止控制的晶体管,或者,由具有比上述低阈值晶体管的阈值为高的阈值、由输入至控制端子的控制信号进行导通/截止控制的晶体管构成上述电流源,上述输出放大级具有:连接在上述第1电源与上述输出端子之间、其控制端子接受上述差动对的输出的、阈值相对低的输出级晶体管;以及在上述第1电源与上述输出端子之间,与上述输出级晶体管串联连接、根据上述控制信号以与起上述第1开关作用的晶体管相同相位被导通截止、其阈值比上述低阈值晶体管的阈值高的晶体管。 |
地址 |
日本东京 |