| 发明名称 | 半导体制造装置、半导体制造方法及电子机器 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种半导体制造装置、半导体制造方法及电子机器，通过让反应基比其它官能团更容易被切断的反应气体，来处理制造标的为半导体晶圆的装置及方法；典型的做法为，将反应气体本身，制作为具有OC<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>基或OCH<SUB>3</SUB>基等的硅氧烷气体的反应气体，经由和脱离C<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>基等后留下来的氧(O)的相互结合、或经由与C<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>基与OC<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>基或OCH<SUB>3</SUB>基的反应，来形成低介电率膜或绝缘物阻隔膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101359594A | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200810134902.9 | 申请日期 | 2008.07.29 |
| 申请人 | 奈米材料研究所股份有限公司 | 发明人 | 塩谷喜美 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01);H01L21/314(2006.01);C30B25/00(2006.01);C23C16/24(2006.01) | 主分类号 | H01L21/285(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种半导体制造装置，其特征在于其具备：通过让反应基比其它官能团更容易被切断的状态下的反应气体，来处理制造标的为半导体晶圆的手段。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||