| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包括半导体基板(1)、在该基板上形成的栅极绝缘膜(例如栅极氧化膜)(2)、和在该绝缘膜上形成的栅极电极(3)的半导体装置。栅极电极(3)具有金属化合物膜(3a)。该金属化合物膜(3a)通过使用含有金属羰基的原料(例如W(CO)<SUB>6</SUB>气体)、以及含有Si的气体和含有N的气体中的至少一种的CVD而形成。这样形成的金属化合物膜(3a)可利用其Si和/或N的含量来控制其功函数。 | ||
| 申请公布号 | CN100459148C | 申请公布日期 | 2009.02.04 |
| 申请号 | CN200580003156.4 | 申请日期 | 2005.01.28 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 铃木健二;郑基市;大久保和哉 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/423(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；在该基板上形成的栅极绝缘膜；和具有在该绝缘膜上形成的金属化合物膜的栅极电极，其中，所述栅极电极的金属化合物膜通过使用含有金属羰基的原料、以及含有Si的原料和含有N的原料中的至少一种的CVD形成，含有所述金属羰基中的金属以及Si和N中的至少一种，通过改变Si和N中的至少一种的含量，能够调整其功函数，所述金属化合物膜还使用含有C的原料形成，含有所述金属羰基中的金属以及Si和N中的至少一种、以及C。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||