| 摘要 |
一种记忆体装置、阵列及其配置方法，其中记忆体装置包括一记忆体单元区，其包括复数个记忆体单元。每个记忆体单元包括一源极区、一汲极区和所述源极区与汲极区之间的一通道、一通道电介质、一电荷储存区，以及与所述电荷储存区相邻的一电性可改变之导体-材料系统。单元线在记忆体单元之间延伸。提供一连接区用于将接头与一条或更多条单元线电性耦合。一非记忆体区具有嵌入式逻辑。记忆体单元以一单元间距排列，单元线在单元之间延伸并且基本以所述单元间距排列，并且具有接头基本以单元间距排列，从而形成一高密集度的记忆体装置。 |
