发明名称 使用奈米结构物之三极管及其制造方法
摘要 提供具有奈米碳管薄膜、膜层、带状物及织物的真空微电子装置。本发明所揭露的微电子真空装置包含了具有三端点(射极、栅极及阳极)的三极管结构以及更高级别的装置如四极管与五极管,上述之所有者皆使用奈米碳管来形成装置的不同元件。在某些实施例中,奈米管织物的图案部份可被用来作为网栅/闸极元件、导电轨道等。奈米管织物可悬浮或顺形设置。在某些实施例中,使用强化的奈米管织物的方法。揭露各种施加、选择性移除(例如蚀刻)、悬浮及强化的垂直地与水平地设置之奈米管织物的方法,其为与CMOS匹配的制造方法。在某些实施例中,奈米管织物三极管提供高速、小尺寸、低功率的装置,其可被用于强烈辐射的应用中。
申请公布号 TW200904746 申请公布日期 2009.02.01
申请号 TW097118618 申请日期 2008.05.21
申请人 奈特洛公司 发明人 施布特;卢汤玛;魏乔森
分类号 B82B3/00(2006.01);H01J21/10(2006.01) 主分类号 B82B3/00(2006.01)
代理机构 代理人 黄庆源;林秋琴
主权项
地址 美国