发明名称 积层陶瓷电容器
摘要 构成介电层陶瓷的结晶,系由钙浓度0.2原子%以下的结晶粒子所构成第1结晶群、与由钙浓度0.4原子%以上的结晶粒子所构成第2结晶群构成;而,构成第1结晶群之结晶粒子之部相对于表层部,就所含镁、第1稀土族元素的各浓度比,系较大于构成第2结晶群之结晶粒子的该元素浓度比,且将介电层陶瓷表面施行研磨时的研磨面,当将上述第1结晶群之结晶粒子面积设为a,将上述第2结晶群之结晶粒子面积设为b时,b/(a+b)比将为0.5~0.8。
申请公布号 TW200905704 申请公布日期 2009.02.01
申请号 TW096145837 申请日期 2007.11.29
申请人 京瓷股份有限公司 发明人 山崎洋一;大铃英之;藤冈芳博;福田大辅
分类号 H01G4/30(2006.01);H01G4/12(2006.01) 主分类号 H01G4/30(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本