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经营范围
发明名称
积层陶瓷电容器
摘要
构成介电层陶瓷的结晶,系由钙浓度0.2原子%以下的结晶粒子所构成第1结晶群、与由钙浓度0.4原子%以上的结晶粒子所构成第2结晶群构成;而,构成第1结晶群之结晶粒子之部相对于表层部,就所含镁、第1稀土族元素的各浓度比,系较大于构成第2结晶群之结晶粒子的该元素浓度比,且将介电层陶瓷表面施行研磨时的研磨面,当将上述第1结晶群之结晶粒子面积设为a,将上述第2结晶群之结晶粒子面积设为b时,b/(a+b)比将为0.5~0.8。
申请公布号
TW200905704
申请公布日期
2009.02.01
申请号
TW096145837
申请日期
2007.11.29
申请人
京瓷股份有限公司
发明人
山崎洋一;大铃英之;藤冈芳博;福田大辅
分类号
H01G4/30(2006.01);H01G4/12(2006.01)
主分类号
H01G4/30(2006.01)
代理机构
代理人
赖经臣;宿希成
主权项
地址
日本
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