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经营范围
发明名称
晶片级电子封装之穿孔结构
摘要
一种晶片级电子封装之穿孔结构,其包括:一晶片,其设有至少一个射频路径,其中该射频路径穿设于该晶片中;以及一穿孔结构,其周设于该射频路径外侧;其中该穿孔结构可为复数个填入金属材料之穿孔、或复数个内表面镀上金属之穿孔、又或上述两种穿孔所组成。藉此,该穿孔结构为一电性参考面,用以防止于该射频路径中传输之信号产生衰减或干扰的现象。
申请公布号
TW200905759
申请公布日期
2009.02.01
申请号
TW096126725
申请日期
2007.07.20
申请人
海华科技股份有限公司
发明人
黄忠谔;黄建渝
分类号
H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
王云平;黄怡菁
主权项
地址
台北县新店市宝中路94号8楼
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