| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid, sowie Siliziumkarbid, Verbundwerkstoff und Halbleiterbauelement |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE60136884(D1) |
申请公布日期 |
2009.01.22 |
| 申请号 |
DE2001636884 |
申请日期 |
2001.05.31 |
| 申请人 |
HOYA CORP. |
发明人 |
NAGASAWA, HIROYUKI;KAWAHARA, TAKAMITSU;YAGI, KUNIAKI |
| 分类号 |
C01B31/36;C30B25/02;C23C16/42;C30B25/00;C30B25/16;C30B29/36;H01L21/205 |
主分类号 |
C01B31/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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