埋入式芯片基板结构

摘要

本发明是关于一种埋入式芯片基板结构，包含有一基板，包括一中间介电层、一第一金属层设于该基板的第一面上以及一第二金属层设于该基板的第二面上，其中该基板的该第一面上设有一凹穴；一金属槽体，嵌入在该凹穴中，且该金属槽体具有一平坦底部；一半导体芯片，固定于该金属槽体的该平坦底部；一介电层，覆盖在该基板的第一面上；至少一增层线路层，设于该介电层上；一防焊阻剂层，覆盖在该增层线路层及该介电层上；一散热金属层，覆盖在该第二金属层上；以及复数散热插塞，连结该金属槽体的该平坦底部及该散热金属层。

主权项

1.一种埋入式芯片基板结构，包含有：一基板，包括一中间介电层、一第一金属层设于所述的基板的第一面上以及一第二金属层设于所述的基板的第二面上，其中所述的基板的所述的第一面上设有一凹穴；一金属槽体，嵌入在所述的凹穴中，且所述的金属槽体具有一平坦底部；一半导体芯片，固定于所述的金属槽体的所述的平坦底部；一介电层，覆盖在所述的基板的第一面上；至少一增层线路层，设于所述的介电层上；一防焊阻剂层，覆盖在所述的增层线路层及所述的介电层上；一散热金属层，覆盖在所述的第二金属层上；以及复数散热插塞，连结所述的金属槽体的所述的平坦底部及所述的散热金属层；其中所述的半导体芯片运作时产生的热，可经由所述的金属槽体以及所述的散热插塞传导至所述的散热金属层，进行有效率的散热。