栅氧化层的制造方法

摘要

在传统的栅氧化层工艺中，位于有源区边缘的栅氧化层会长得比较厚，是因为在有源区的上表面以及侧面会同时生长栅氧化层之故。在浅沟渠隔离工艺中填入绝缘层于沟渠内的步骤之前，加入对有源区边缘的衬底进行自对准的氮离子注入步骤来抑制有源区边缘的栅氧化层的成长速度。如此可达成后续对于有源区边缘的栅氧化层厚度的局部控制，这对于高密度存储器元件十分重要。

主权项

1.一种栅氧化层的制造方法，适于制造线宽小于0.3微米的半导体元件，包括：提供一衬底，该衬底之上依序具有一垫氧化层与一氮化硅层，该衬底之中亦具有一沟渠；去除部分的该氮化硅层，以使该氮化硅层的侧壁自该沟渠的边缘外退，以暴露出该沟渠的边缘；形成一热氧化层在该沟渠的表面上；对该沟渠的边缘进行一氮离子注入步骤；形成氧化硅插塞以填满该沟渠；依序去除该氮化硅层与该垫氧化层；以及形成一栅氧化层于该有源区上。