| 发明名称 | 沟槽式多晶硅二极管 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例包括一种制造沟槽式多晶硅二极管的方法。该方法包括在N+(P+)型基板上形成N－(P－)型外延区域，在N－(P－)型外延区域中形成沟槽。该方法还包括在沟槽中形成绝缘层，和用多晶硅填充沟槽，形成沟槽的顶面。该方法还包括在沟槽中形成P+(N+)型掺杂多晶硅区域和N+(P+)型掺杂多晶硅区域，和在沟槽中形成二极管，其中，二极管的一部分低于沟槽的顶面。 | ||
| 申请公布号 | CN101351893A | 申请公布日期 | 2009.01.21 |
| 申请号 | CN200680050082.4 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 维西埃－硅化物公司 | 发明人 | 陈曲飞;罗伯特·徐;凯尔·特里尔;戴娃·帕塔纳亚克 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01);H01L29/866(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L29/861(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1.一种制造垂直沟槽式多晶硅二极管的方法，包括：在N+(P+)型基板上形成N-(P-)型外延区域；在所述外延区域中形成沟槽；在所述沟槽中形成绝缘层；用多晶硅填充所述沟槽，形成所述沟槽的顶面；注入P+(N+)型掺杂剂，在所述沟槽中形成所述多晶硅的P+(N+)型区域；注入N+(P+)型掺杂剂，在所述沟槽中形成所述多晶硅的N+(P+)型区域；在所述沟槽中形成多晶硅二极管，其中，所述二极管的一部分低于所述沟槽的所述顶面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||