发明名称 氧化钇材料、半导体制造装置用构件及氧化钇材料之制造方法
摘要 提供一种机械特性优良的氧化钇材料。本发明者们发现藉由在氧化钇中添加碳化矽以及氟化钇而能够使氧化钇材料强韧化,在应用于半导体制造装置构件时的良率、操作性以及可靠性能够提升。
申请公布号 TW200902475 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097107855 申请日期 2008.03.06
申请人 日本子股份有限公司;国立大学法人长冈技术科学大学 发明人 小林义政;胜田佑司;阪井博明;新原皓一;中山忠亲
分类号 C04B35/505(2006.01);H01L21/67(2006.01) 主分类号 C04B35/505(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本