| 摘要 |
本发明提供一种可密集地配置向字元线之引出布线的使记忆胞三维积层之半导体记忆装置。该半导体记忆装置具有复数个记忆体串以及位元线，其中，上述复数个记忆体串系将可电性覆写之复数个记忆胞串联连接而成者，该记忆体串具有：柱状半导体、形成于该柱状半导体周围之第1绝缘膜、形成于该第1绝缘膜周围之电荷储存层、形成于该电荷储存层周围之第2绝缘膜、及形成于该第2绝缘膜周围之复数个电极，上述位元线经由选择电晶体而连接于记忆体串之一端，该记忆体串之复数个电极与其他的记忆体串之复数个电极系被共有、且分别为二维扩展之导电体层，该导电体层之端部分别在与位元线平行之方向上形成为阶梯状。 |
