发明名称 氧化锌系基板及氧化锌系基板之处理方法
摘要 系提供一种具有适合于结晶成长的表面之氧化锌系基板及氧化锌系基板之处理方法。系以使Mg#sB!X#eB!Zn#sB!1-X#eB!O基板(0≦X<1)之进行结晶成长之一侧的表面之羟基(OH基)的存在大致为0之方式地形成。作为可实现此基板之基板处理方法,Mg#sB!X#eB!Zn#sB!1-X#eB!O基板(0≦X<1)之进行结晶成长之一侧的表面之最终处理,系以pH3以下之酸性湿式蚀刻处理来进行。藉此,可防止锌(Zn)之羟化物的产生,而将氧化锌系基板上之薄膜的结晶缺陷密度降低至非常小。
申请公布号 TW200903871 申请公布日期 2009.01.16
申请号 TW097124261 申请日期 2008.06.27
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 中原健;汤地洋行;赤俊辅;川崎雅司;大友明;塚崎敦
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本