在半导体装置中藉由使用在双应力衬层上方之额外层而获得之Ｎ通道电晶体之增进的电晶体效能

摘要

本发明系藉由形成如氮化矽之额外的介电材料层，于图案化不同本质应力之介电衬层之后，能使N通道电晶体之效能明显增加，而实质上不造成P通道电晶体之效能损失。