发明名称 Verfahren zum Lesen eines Flashspeichers und Speichersystem
摘要 Ein Verfahren zum Lesen eines Flashspeichers (130) in einem Speichersystem umfasst die Schritte: Lesen von Daten aus einer Hauptseite (PAGE_K) des Flashspeichers (130), Detektieren und Korrigieren eines Bitfehlers in den Daten, die aus der Hauptseite (PAGE-K) gelesen worden sind, Lesen von Daten aus einer Dummyseite (PAGE_I) des Flashspeichers (130) parallel zum Lesen der Daten aus der Hauptseite (PAGE_K) und Detektieren eines Bitfehlers in den Daten, die aus der Dummyseite (PAGE_I) des Flashspeichers (130) gelesen worden sind.
申请公布号 DE102008030264(A1) 申请公布日期 2009.01.15
申请号 DE200810030264 申请日期 2008.06.18
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 AHN, SE-JIN;KIM, YONG-HYEON;CHOI, SUNG-UP;KIM, YONG-KYEONG
分类号 G11C16/26 主分类号 G11C16/26
代理机构 代理人
主权项
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