发明名称 |
Verfahren zum Lesen eines Flashspeichers und Speichersystem |
摘要 |
Ein Verfahren zum Lesen eines Flashspeichers (130) in einem Speichersystem umfasst die Schritte: Lesen von Daten aus einer Hauptseite (PAGE_K) des Flashspeichers (130), Detektieren und Korrigieren eines Bitfehlers in den Daten, die aus der Hauptseite (PAGE-K) gelesen worden sind, Lesen von Daten aus einer Dummyseite (PAGE_I) des Flashspeichers (130) parallel zum Lesen der Daten aus der Hauptseite (PAGE_K) und Detektieren eines Bitfehlers in den Daten, die aus der Dummyseite (PAGE_I) des Flashspeichers (130) gelesen worden sind.
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申请公布号 |
DE102008030264(A1) |
申请公布日期 |
2009.01.15 |
申请号 |
DE200810030264 |
申请日期 |
2008.06.18 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
AHN, SE-JIN;KIM, YONG-HYEON;CHOI, SUNG-UP;KIM, YONG-KYEONG |
分类号 |
G11C16/26 |
主分类号 |
G11C16/26 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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