| 摘要 |
本发明的目的是在于提供一种可降低管理成本，且可削减制造工程，而可谋求制造原价的成本降低之半导体装置及薄膜电晶体、以及该等的制造方法。一种薄膜电晶体2的制造方法，系具备：由所定的材料构成，成为活性层41的半导体、及由与所定的材料同组成的材料构成，成为源极电极51、汲极电极53及画素电极55的至少一个的导电体，其特征系具有：一起成膜、甚至一起形成由非晶质的所定材料构成的被处理体及导电体（源极电极51、源极配线52、汲极电极53、汲极配线54及画素电极55）之工程、及使所被形成的被处理体结晶化而作为活性层41之工程。 |
