发明名称 半导体装置以及该半导体装置之控制方法
摘要 一种半导体装置以及该半导体装置之控制方法,系包括具有复数非挥发性记忆体单元(nonvolatile memory cell)之记忆体单元阵列(memory cell array),以及一控制电路。当第一指令输入时,该控制电路会起始于该记忆体单元阵列之一区域的一部分中该记忆体单元之一第一运算,继而于第二指令被输入时,该控制电路会决定是暂停该第一运算或是重新设定该第一运算,如果该控制电路决定要暂停该第一运算,则暂停该第一运算,如果该控制电路决定重新设定该第一运算,则终止该第一运算。
申请公布号 TW200901197 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096140925 申请日期 2007.10.31
申请人 史班逊有限公司 发明人 筱崎直治
分类号 G11C16/02(2006.01) 主分类号 G11C16/02(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国