发明名称 磁性随机存取记忆体及其制造方法
摘要 一种磁性随机存取记忆体,包括基底、第一导体层、磁性层、绝缘层、介电层、两个接触窗及第二导体层。第一导体层配置于基底上。磁性层配置于第一导体层上。绝缘层配置于第一导体层与磁性层之间,且绝缘层的厚度为1000埃以下。介电层配置于基底上并覆盖磁性层、绝缘层及第一导体层。接触窗配置于介电层中,且接触窗分别电性连接于第一导体层与磁性层。第二导体层配置于介电层上,第二导体层包括两个导体图案,且各导体图案分别电性连接于所对应的各接触窗。
申请公布号 TW200901191 申请公布日期 2009.01.01
申请号 TW096122020 申请日期 2007.06.20
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 吕昭宏
分类号 G11C11/14(2006.01);H01L21/8239(2006.01) 主分类号 G11C11/14(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号