发明名称 | 磁性随机存取记忆体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种磁性随机存取记忆体,包括基底、第一导体层、磁性层、绝缘层、介电层、两个接触窗及第二导体层。第一导体层配置于基底上。磁性层配置于第一导体层上。绝缘层配置于第一导体层与磁性层之间,且绝缘层的厚度为1000埃以下。介电层配置于基底上并覆盖磁性层、绝缘层及第一导体层。接触窗配置于介电层中,且接触窗分别电性连接于第一导体层与磁性层。第二导体层配置于介电层上,第二导体层包括两个导体图案,且各导体图案分别电性连接于所对应的各接触窗。 | ||
申请公布号 | TW200901191 | 申请公布日期 | 2009.01.01 |
申请号 | TW096122020 | 申请日期 | 2007.06.20 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吕昭宏 |
分类号 | G11C11/14(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | G11C11/14(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |