FinFET中的分裂栅极存储器单元

摘要

一种存储器单元，其使用半导体翼片(105、107)实现，其中沟道区沿着源区和漏区之间的翼片的侧壁。沟道区的一部分具有与其相邻的选择栅极(731)，并且另一部分具有与其相邻的控制栅极(1001)，电荷存储结构位于其之间。在某些实施例中，独立的控制栅极结构位于与翼片的相对侧壁相邻，以便于实现两个存储器单元。

主权项

1.一种存储器器件，包括：具有第一侧壁和沟道区的第一半导体翼片，其中所述沟道区包括沿所述第一侧壁的部分并且所述沟道区位于源区和漏区之间，其中载流子在所述沟道区中基本上水平行进；选择栅极结构，包括与所述第一侧壁的第一部分相邻并且与沿所述第一侧壁的所述沟道区的第一部分相邻的部分；电荷存储结构，具有与所述第一侧壁的第二部分相邻并且与沿所述第一侧壁的所述沟道区的第二部分相邻的第一部分；和控制栅极结构，具有与所述电荷存储结构的所述第一部分相邻的第一部分。