图像传感器及其制造方法

摘要

本发明披露了一种图像传感器及其制造方法。该方法包括在半导体衬底的像素区上形成栅极；在栅极的一侧形成光电二极管，而在栅极的另一侧形成浮置扩散区；在半导体衬底中的像素区和边缘区上形成氧化膜，其中像素区具有栅极，光电二极管和浮置扩散区；形成光刻胶图样，该光刻胶图样具有对应于氧化膜上的栅极和浮置扩散区的开口，然后使用光刻胶图样作为掩模来蚀刻氧化膜以形成牺牲氧化层；在光刻胶图样，栅极和浮置扩散区上形成金属层；通过进行快速热处理在栅极和浮置扩散区上形成自对准多晶硅化物层；蚀刻快速热处理后残留的金属层，光刻胶图样和牺牲氧化层，以及形成层间绝缘膜并对该层间绝缘膜进行平坦化。

主权项

1.一种制造图像传感器的方法，包括：在半导体衬底的像素区上形成栅极；在所述栅极的一侧形成光电二极管，而在所述栅极的另一侧形成浮置扩散区；在所述半导体衬底的所述像素区和边缘区上形成氧化膜，所述像素区设置有所述栅极、所述光电二极管和所述浮置扩散区；形成光刻胶图样，所述光刻胶图样具有对应于所述氧化膜上的所述栅极和所述浮置扩散区的开口，然后使用所述光刻胶图样作为掩模来蚀刻所述氧化膜形成牺牲氧化层；在所述光刻胶图样、所述栅极和所述浮置扩散区上形成金属层；通过进行快速热处理在所述栅极和所述浮置扩散区上形成自对准多晶硅化物层；蚀刻所述快速热处理后残留的所述金属层、所述光刻胶图样和所述牺牲氧化层，以及形成层间绝缘膜并对所述层间绝缘膜平坦化。