垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法

摘要

一种垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法，属于有机－无机复合材料及其制备技术领域。插层水滑石的化学式为：[(M²⁺)_1－x(M³⁺)_x(OH)₂^x+(CMCD^n－)_x/n·mH₂O。制备方法先将铝片在恒电压条件下阳极氧化；再分别称取二价金属盐，阴离子修饰的环糊精和NH₄NO₃溶解于去离子水中配成反应合成液，再用氨水调节反应合成液的pH在5.9～8.5之间。将阳极氧化铝/铝基片垂直悬吊在上述反应合成液中，在一定温度下反应一定时间制得环糊精插层水滑石膜。优点在于：利用原位生长技术得到的环糊精插层水滑石薄膜固定于铝基底上，实现了水滑石的固定化和器件化，且得到的水滑石具有一定的机械强度，这将极大方便环糊精插层水滑石材料在生产生活中的应用。

主权项

1、一种垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜，其特征在于：以阳极氧化铝为基底和铝源，水滑石层板为垂直于阳极氧化铝基底排列结构；化学式为：[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(CDn-)x/n·mH2O，其中0.2≤x≤0.33，n＝0.5-14，m＝3-6为层间结晶水分子数，M2+为二价金属离子Ni2+、Zn2+、Co2+、Fe2+、Ca2+、Mn2+、Cu2+的任何一种，M3+代表三价金属离子Al3+；CD表示羧甲基或磺酸基修饰的环糊精。