| 摘要 |
Способ определения концентрации химических загрязнений и нарушений структуры полупроводникового материала, в котором осуществляют, по крайней мере, два измерения удельного электросопротивления ρ и времени жизни τ неравновесных носителей зарядов полупроводникового материала с помощью методов, имеющих одинаковое разрешение по поверхности и глубине, затем определяют глубину залегания Ерекомбинационных центров в запрещенной зоне полупроводника из соотношения:E=k·T·ln(e·N·μ·ρ·(1-y)/y), гдеk - константа Больцмана,Т - температура в градусах Кельвина,y=dlnτ/dlnρ - производная зависимости lnρ от lnτ,е - модуль заряда электрона,N - эффективная плотность состояний основных свободных носителей заряда в полупроводниковом материале,μ - подвижность основных свободных носителей заряда в полупроводниковом материале,по величине Еопределяют тип химических загрязнений и структурных дефектов и сечение захвата σ этими дефектами неосновных свободных носителей заряда в полупроводниковом материале, для определенного типа химических загрязнений и структурных дефектов определяют концентрацию Nхимических загрязнений и структурных дефектов из выражения:N=1/τ·σ·V, гдеV- тепловая скорость неосновных свободных носителей заряда в полупроводниковом материале,а о концентрации химических загрязнений и структуры нарушений полупроводникового материала судят по типу и концентрации определенных рекомбинационных центров. |
