发明名称 |
一种硅基液晶微显示器件帧存储像素电路 |
摘要 |
本发明属于硅基微显示器件技术领域,特别是涉及一种帧存储像素电路结构。包括:第一晶体管M1、,第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、预存储电容C1、像素电容C2,在像素电压保持期间,第四晶体管与像素电容之间是断开的,第四晶体管的关态漏电流对像素电压的影响被第五晶体管隔离,因而提高了像素电压保持率。第四晶体管采用PMOS晶体管,第三晶体管采用NMOS晶体管,复合信号取代电源开关信号和放电信号,从而使本发明的电路走线简化。电压保持期间的像素电压波动受到与液晶像素电极相连接的晶体管的漏电流的影响。本发明减少了与液晶像素电极相连接晶体管的数量,减小了漏电流,降低了闪烁。 |
申请公布号 |
CN100428033C |
申请公布日期 |
2008.10.22 |
申请号 |
CN200510016745.8 |
申请日期 |
2005.04.22 |
申请人 |
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
发明人 |
宋玉龙;凌志华;冯亚云 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);G09G3/36(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
长春菁华专利商标代理事务所 |
代理人 |
陶遵新 |
主权项 |
1、一种硅基液晶微显示器件帧存储像素电路,包括:第一晶体管(M1)、预存储电容(C1)、第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、像素电容(C2),第一晶体管(M1)、预存储电容(C1)组成采样保持电路,其特征在于还包括:第五晶体管(M5),第五晶体管(M5)的漏极接像素电容(C2)的一端,第五晶体管(M5)的源极同时与第四晶体管(M4)的漏极、第二晶体管(M2)的源极连接,第四晶体管(M4)的源极接地;第五晶体管(M5)既为第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、像素电容(C2)组成的电压转移电路提供电流通路又为第四晶体管(M4)、像素电容(C2)组成的放电回路提供电流通路;第五晶体管(M5)的栅极读控制信号(3)在时序上包含第四晶体管(M4)的栅极放电信号(5);第五晶体管(M5)在像素电压保持期间被关断,切断了第四晶体管(M4)关断状态下的漏电流,保持像素电容(C2)上电压的稳定。 |
地址 |
130031吉林省长春市东南湖大路16号 |