| 发明名称 | 一种改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法和装置 | ||
| 摘要 | 改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布，从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计，可以使得气流分布的更加均匀，样品无需旋转。 | ||
| 申请公布号 | CN101281864A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200810019104.1 | 申请日期 | 2008.01.11 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 修向前;张荣;陆海;谢自力;顾书林;施毅;韩平;朱顺明;胡立群;郑有炓 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/40(2006.01);C30B29/38(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 汤志武;王鹏翔 |
| 主权项 | 1、改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，其特征是在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||