| 发明名称 | 半导体存储器装置及其控制方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器装置，包括：分别与多个存储单元连接的多条位线；共同分配给所述多条位线的多条传输线；分别连接到这些传输线的读出放大器(SA1)和(SA2)；以及控制电路，该控制电路在由所述读出放大器(SA1)执行的放大操作期间使所述读出放大器(SA2)执行转换操作。因为所述多个读出放大器被分配给相同的位线，并且这些读出放大器以这种方式进行并行操作，所以能够高速地读出数据。 | ||
| 申请公布号 | CN101281782A | 申请公布日期 | 2008.10.08 |
| 申请号 | CN200810090576.6 | 申请日期 | 2008.04.03 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 外村宁子;片桐诚志;藤幸雄 |
| 分类号 | G11C7/08(2006.01) | 主分类号 | G11C7/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器装置，所述装置包括：多个非破坏性可读存储单元；连接到所述多个存储单元的位线；分配给所述位线的第一和第二读出放大器，并且所述第一和第二读出放大器包括转换电路和放大电路，所述转换电路将存储在所述存储单元中的内容转换成电位差，所述放大电路放大所述电位差；以及控制电路，所述控制电路使所述第二读出放大器的所述转换电路在由所述第一读出放大器的所述放大电路执行的放大操作期间执行转换操作。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||